RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
52
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
52
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2260
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link