RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
3035
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link