RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
65
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2348
1921
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link