RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
71
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2021
1767
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link