RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2231
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link