RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
64
Около -178% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2231
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link