RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
62
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
62
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2106
1586
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link