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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
62
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
62
读取速度,GB/s
13.9
16.1
写入速度,GB/s
8.7
6.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
1586
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
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Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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