RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2453
3601
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link