RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2453
3614
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link