RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Porównaj
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Wynik ogólny
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2453
2783
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link