RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
83
Wokół strony 76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
83
Prędkość odczytu, GB/s
17.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3077
1774
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link