RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
29
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
29
Prędkość odczytu, GB/s
18.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3040
3597
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link