RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
22
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
22
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3152
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link