RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
38
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
38
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2638
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link