RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
42
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
17
42
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2011
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link