RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
22
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
22
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2666
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link