RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
29
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
29
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2690
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link