RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
42
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
17
42
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2123
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link