RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
75
Wokół strony -257% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
21
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3350
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link