RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
60
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2554
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link