RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
3313
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link