RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3814
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link