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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
46
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
17.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3814
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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