RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
46
En -156% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
18
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3814
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link