RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2660
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link