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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
46
读取速度,GB/s
16.1
16.0
写入速度,GB/s
10.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2660
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
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