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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
46
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2660
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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