RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
33
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
33
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2962
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link