RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
15.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
27
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3909
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S44G2606U1S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link