RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3584
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link