RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
26
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
26
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2594
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link