RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
36
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
36
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2490
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 6400DT Series 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link