RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
36
Autour de 53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
36
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2490
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link