RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology C 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology C 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology C 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology C 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link