RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
32
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
32
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2322
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link