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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
15.9
写入速度,GB/s
15.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2322
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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