RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
22
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
22
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3411
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link