RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
46
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2489
2660
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link