RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
INTENSO M418039 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO M418039 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
60
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2414
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
INTENSO M418039 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link