Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs INTENSO M418039 8GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 16

Valor médio nos testes

INTENSO M418039 8GB

Razões a considerar
INTENSO M418039 8GB

Relatar um erro

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

20 60

Por volta de -200% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.4 2,168.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 5300

Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

INTENSO M418039 8GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

60 20
Velocidade de leitura, GB/s

4,595.2 16.0
Velocidade de escrita, GB/s

2,168.2 7.4
Largura de banda de memória, mbps

5300 17000

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

941 2414

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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