Porównanie pamięci RAM Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Wynik ogólny

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 37

Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

22.8 11.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.9 7.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 10600

Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1683 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns