Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 37
    Около -28% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    22.8 left arrow 11.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.9 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.4 left arrow 22.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.4 left arrow 16.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1683 left arrow 3792
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения