RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
60
Около -62% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2814
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link