RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2814
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link