RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
4069
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link