RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2440
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link