RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
50
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2512
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link