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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
50
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
50
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
2512
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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