RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2846
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link